台积电强调，CoWoS及整合扇出型封装（InFO）仍是2.5D IC封装，为了让芯片效能更强，芯片业花了相当的时间，开发体积小、功能更复杂的3D IC，这项技术需搭配难度更高的硅钻孔（TSV）技术，以及晶圆薄化、导电材质填孔、晶圆连接及散热支持。
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平泽是三星目前在华城以外 可以在韩国建造的额外非存储产线的地方。继2017年起在平泽设立的建筑面积达289万平方米的 条产线后，计划于今年11月建立第二条产线。由于仍有空间可以设立两到三条产线，三星计划建立下一条非存储产线时很有可能仍在平泽。业内人士也表示，三星的代工投资计划和政政策不谋而合，将被给予厚望。
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ASML是先的半导体设备厂商，随着工艺技术不断缩，三星在16日宣布5nm极紫外光（EUV）制程开发成功，并传今年将量产6nm，台积电傍晚也宣布推出6nm(N6)制程技术，并预计2020年一季度进入试产。DRAM也即将进入1znm，三星已成功研发出1znm DRAM，并预计于2019 年下半年开始大量生产，DRAM进入1znm节点将需要更精密的EUV设备延续摩尔定律，这离不开对ASML EUV设备的需求。
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